日本商讨东谈主员行将宣告六项要紧显露，助力氧化镓器件迈向量产新阶段。
日真名古屋大学的商讨东谈主员联袂大学繁衍企业 NU - Rei，在氧化镓（Ga₂O₃）生万古期界限斩获六项轻松性显露。这些超卓效果由名古屋大学低温等离子体科学中心的商讨小组于日本垄断物理学会春季会议（2026 年 3 月 15 - 18 日）上公开发表。
此六项效果协同推动了氧化镓器件量产所需的齐备工艺经由栈的构建。其中，一项寰宇始创的异质外延生万古期尤为矜重，即于结构相异的基板（硅晶圆）上滋长氧化镓晶体层。商讨团队指出，这一要道要领概况大幅镌汰器件本钱，同期显赫改善散热性能。
这些效果是在名古屋大学 2025 年 9 月所报谈的关联氧化镓 p 型限制显露的基础上进一步拓展而来，并正通过 NU - Rei 公司积极推动营业化程度，旨在推动工业界庸碌选拔氧化镓滋长工艺，以垄断于高压、高频以及硅集成器件界限。
这项商讨责任的中枢在于新研发的高密度氧目田基源（HD - ORS）。相较于传统源，它在薄膜生万古刻可使可用的原子氧密度提高一倍。更高的氧密度有劲地促进了将亚氧化镓诊疗为所需 Ga₂O₃ 的化学反馈，同期有用扼制了底本会从名义逸出并收尾薄膜滋长速率的蒸发性副产品。该源与分子束外延（MBE）和物理气相千里积（PVD）均具备细腻的兼容性。
齐备工艺经由栈的显露如下：
HD - ORS 开发
新的氧源选拔臭氧 - 氧气搀杂气体，使原子氧密度翻倍，大发不仅兼容 MBE 和 PVD，更为后续悉数滋长责任奠定了高效基础。
高速 MBE 同质外延滋长
借助 HD - ORS，商讨团队在掺锡的 Ga₂O₃ 衬底上见效达成了 β - Ga₂O₃ 的同质外延滋长。滋长温度为 300°C，滋长速率达 1µm/小时。通过 X 射线衍射（XRD）和反射高能电子衍射（RHEED），证实了在 (001) 面上的滋长情况。较低的滋长温度有用减少了热应力，同期拓展了与其他器件组件的兼容性。
高速 PVD 同质外延滋长
将 HD - ORS 垄断于 PVD，在 (001) 取向的同质外延薄膜上达成了逾越 1µm/小时的巩固滋长速率，近乎传统 MBE 速率的十倍，为工业界限出产指明了主义。
硅衬底预解决
为达成在硅上的滋长，商讨团队拓荒了一种联接湿化学清洗和在硅名义限制吸附单原子层镓的预解决范例。此范例有用戒备了加热过程中的再氧化，经证实对随后的异质外延滋长起着至关遑急的作用。
硅基上的寰宇始创异质外延滋长
商讨团队在 2 英寸 Si(100) 晶圆上见效达成了 Ga₂O₃ 的异质外延滋长，经热解决证实变成了单晶。硅衬底相较于原生 Ga₂O₃ 衬底……（原文此处未齐备，可左证实质情况补充齐备后再进行进一步润色）
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